כינע 4A זעאָליט מאָלעקולאַר זיפּ פֿאַר מעטאַנאָל באַזייַטיקונג פון פליסיקייט און באַזייַטיקונג פון טשאַד דייאַקסייד, אַמאָוניאַ מאַניאַפאַקטשערערז און סאַפּלייערז

4A זעאָליט מאָלעקולאַר זיפּ פֿאַר מעטאַנאָל באַזייַטיקונג פֿון פֿליסיקייט און באַזייַטיקונג פֿון קוילן דייאַקסייד, אַמאָניאַק

קורצע באַשרייַבונג:

מאָלעקולאַר זיפּ טיפּ 4A איז אַן אַלקאַלי אַלומינאָ סיליקאַט; עס איז די נאַטריום פאָרעם פון די טיפּ A קריסטאַל סטרוקטור. 4A מאָלעקולאַר זיפּ האט אַן עפעקטיוו פּאָרע עפענונג פון וועגן 4 אַנגסטראָם (0.4 נם). BESTN טיפּ 4A מאָלעקולאַר זיפּ וועט אַדסאָרבירן רובֿ מאָלעקולן מיט אַ קינעטישן דיאַמעטער פון ווייניקער ווי 4 אַנגסטראָם און אויסשליסן די גרעסערע. אַזעלכע אַדסאָרבירבארע מאָלעקולן אַרייַננעמען פּשוט גאַז מאָלעקולן אַזאַ ווי זויערשטאָף, שטיקשטאָף, קאַרבאָן דיאַקסייד און גלייַך קייט כיידראָוקאַרבאַנז. בראַנטשט קייט כיידראָוקאַרבאַנז און אַראָמאַטיקס זענען אויסגעשלאָסן.

שיקט אַן אימעיל צו אונדז

פּראָדוקט דעטאַל

פּראָדוקט טאַגס

באַשרייַבונג

כעמישע צוזאמענשטעלונג

אייטעם	איינהייט	טעכנישע דאַטן
פאָרעם		פּעלעט		ספֿערע
דיאַמעטער	mm	1.5-1.7	3.0-3.3	1.7-2.5	3.0-5.0
גרייס פאַרהעלטעניש ביז גראַד	%	≥98	≥98	≥98	≥98
מאַסע געדיכטקייט	ג/מל	≥0.66	≥0.66	≥0.70	≥0.70
טראָגן פאַרהעלטעניש	%	≤0.20	≤0.40	≤0.20	≤0.20
צעקוועטשטע שטאַרקייט	N	≥30/קמ	≥45/ס״מ	≥30/p	≥70/p
סטאַטיש וואַסער אַדסאָרפּציע	%	≥21	≥21	≥21	≥21
סטאַטיש מעטאַנאָל אַדסאָרפּציע	%	≥15	≥15	≥15	≥15
וואַסער אינהאַלט, ווי געשיקט	%	≤1.5	≤1.5	≤1.5	≤1.5

$BPBYCUG`MW{]ZCH8})_QNH6$

אַפּליקאַציע

● טריקענען און אַראָפּנעמען CO2 פֿון נאַטירלעכן גאַז, LPG, לופֿט, אינערטע און אַטמאָספֿערישע גאַזן, אאַז"וו.
● באַזייַטיקונג פון כיידראָוקאַרבאַנז, אַמאָניאַק און מעטאַנאָל פון גאַז שטראָמען (אַמאָניאַק סינט גאַז באַהאַנדלונג)
● ספּעציעלע טיפּן ווערן גענוצט אין די לופט-ברעך-איינהייטן פון בוסן, טראָקס און לאָקאָמאָטיוון.
● פאַרפּאַקט אין קליינע זעקלעך, קען מען עס ניצן פשוט ווי אַ פאַרפּאַקונג טרוקענער.

רעגענעראַציע

מאָלעקולאַרע זיפּ טיפּ 4A קען ווערן רידזשענערירט דורך אָדער הייצן אין פאַל פון טערמישע סווינג פּראָצעסן; אָדער דורך נידעריגער מאַכן דעם דרוק אין פאַל פון דרוק סווינג פּראָצעסן.
צו באַזייַטיקן נעץ פון אַ 4A מאָלעקולאַר זיפּ, איז אַ טעמפּעראַטור פון 250-280°C נייטיק. אַ ריכטיק רעגענערירט מאָלעקולאַר זיפּ קען געבן נעץ טוי פונקטן אונטער -100°C.
די אויסגאַנג קאָנצענטראַציעס אויף אַ דרוק סווינג פּראָצעס וועלן אָפענגען אויף די גאַז פאָרשטעלן, און אויף די באדינגונגען פון די פּראָצעס.

אויפמערקזאמקייט